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    采用多层外延制造工艺和独特结构设计的超结MOS,产品具有比常规MOSFET更快的开关速度及更柔和的开关曲线,在低开关损耗的同时也抑制了开关震荡,提高系统效率、降低发热量,简化系统的EMC设计。
    基于其高效率、低温升的特点,特别适用于快速充电器、LED电源、通讯、服务器电源、电动车充电桩、车载电源系统等系统应用。

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商品描述

采用多层外延制造工艺和独特结构设计的超结MOS,产品具有比常规MOSFET更快的开关速度及更柔和的开关曲线,在低开关损耗的同时也抑制了开关震荡,提高系统效率、降低发热量,简化系统的EMC设计。
基于其高效率、低温升的特点,特别适用于快速充电器、LED电源、通讯、服务器电源、电动车充电桩、车载电源系统等系统应用。


更新时间:2024-04  请输入具体型号:  
ICM Product IDProcessTyeBVDSS@1mA(V)ID(A)BVGS(V)Ron(mR@Vgs=10V)Package规格书下载

TypMax
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CMW65R041DFDEPI-SJFRD65070±303541TO247下载
CMW60R070DFDEPI-SJFRD60056±306570TO247下载
CMW60R110DFDEPI-SJFRD60030±30101110TO247下载
CMP60R110DFDEPI-SJFRD60030±30101110TO220下载
CMB60R110DFDEPI-SJFRD60030±30101110TO263
CMP65R120DFDEPI-SJFRD65030±30108120TO220下载
CMW65R120DFDEPI-SJFRD65030±30108120TO247下载
CMD65R550DEPI-SJ-6507±30550700TO252
CMD65R800DEPI-SJ-6505±308001000TO252
CMD65R1100DEPI-SJ-6504±3011001300TO252
CMD65R1500DEPI-SJ-6503±3015001600TO252
CMD5N50VFDDPlanarFRD5003±302.53TO252下载
CMD5N50VFDCPlanarFRD5004±302.22.6TO252下载
CMD5N50VFDBPlanarFRD5005±301.62.2TO252下载
CMD5N50VFDPlanarFRD5005±301.251.5TO252下载
CMD5N25VFDPlanarFRD2505±200.91.1TO252